Биомедицинская инженерия и электроника
Электронный научный журнал
Вход в Личный портфель
О журнале Номера журнала Поиск Правила для авторов  
Главная / Номера журналов /№ 4, 2017

Технические науки
ПРИМЕНЕНИЕ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКИСЛА КРЕМНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Самойлов Н.А. 3, Фролов А.Н. 2, Крапивко Г.И. 1, Марончук А.И. 3

1. Херсонская государственная морская академия
2. Херсонский филиал Национального университета кораблестроения имени адмирала Макарова
3. Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины

Файл   

Резюме:

В статье приведены технологические процессы изготовления высоковольтных диодов, варикапов и диодов Шоттки с применением слоев пористого анодного окисла кремния. Показано, что особенности роста анодного окисла кремния при повышенном напряжении позволяют значительно улучшить совокупность параметров и характеристик как приборов с p-n переходами, так и диодов Шоттки. DOI: 10.6084/m9.figshare.5483779.v1

Ключевые слова: пористый анодный окисел кремния, варикап, диод Шоттки

Библиографическая ссылка

Самойлов Н.А. 3, Фролов А.Н. 2, Крапивко Г.И. 1, Марончук А.И. 3 ПРИМЕНЕНИЕ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКИСЛА КРЕМНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2017. – № 4;
URL: www.es.rae.ru/biofbe/213-1116 (дата обращения: 22.12.2024).

Код для вставки на сайт или в блог
Просмотры статьи

Сегодня: 789 | За неделю: 790 | Всего: 1163

Комментарии (0)
Сайт работает на RAE Editorial System