Биомедицинская инженерия и электроника
Электронный научный журнал
Вход в Личный портфель
О журнале Номера журнала Поиск Правила для авторов  
Главная / Номера журналов /№ 3, 2016

Технические науки
ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ
Литвиненко В.Н. 3, Дощенко Г.Г. 1, Самойлов Н.А. 2

1. Херсонская государственная морская академия
2. Институт физики полупроводников НАН Украины
3. Херсонський національний технічний університет

Файл   

Резюме:

Представлены экспериментальные результаты влияния геттерирования пленкой халькогенидного стекла Ge28Sb12Se60 на выход годных диодных структур. Приведены технологические режимы проведения процесса геттерирования пленкой халькогенидного стекла примесей на поверхности диодных структур. Рассмотрены механизмы воздействия процесса геттерирования на обратные токи диода.

Ключевые слова: халькогенидные стекла, геттерирование, обратный ток, диодные структуры, отжиг, примеси

Библиографическая ссылка

Литвиненко В.Н. 3, Дощенко Г.Г. 1, Самойлов Н.А. 2 ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТТЕРИРУЮЩИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2016. – № 3;
URL: www.es.rae.ru/biofbe/209-1063 (дата обращения: 21.11.2024).

Код для вставки на сайт или в блог
Просмотры статьи

Сегодня: 609 | За неделю: 609 | Всего: 1047

Комментарии (0)
Сайт работает на RAE Editorial System