Биомедицинская инженерия и электроника
Электронный научный журнал
Вход в Личный портфель
О журнале Номера журнала Поиск Правила для авторов  
Главная / Номера журналов /№ 1, 2015

Технические науки
УЛУЧШЕНИЕ ОБРАТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ
Литвиненко В.Н. 1, Дощенко Г.Г. 2, Самойлов Н.А. 3

1. Херсонский национальный технический университет
2. Херсонская государственная морская академия
3. Институт физики полупроводников НАН Украины

Файл   

Резюме:

Данная работа посвящена исследованию причин низкого процента выхода годных диодов и разработке эффективного технологичного метода геттерирования структурных дефектов в кремнии с целью уменьшения плотности дефектов и повышения выхода годных диодов.

Библиографическая ссылка

Литвиненко В.Н. 1, Дощенко Г.Г. 2, Самойлов Н.А. 3 УЛУЧШЕНИЕ ОБРАТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2015. – № 1;
URL: www.es.rae.ru/biofbe/201-987 (дата обращения: 01.05.2024).

Код для вставки на сайт или в блог
Просмотры статьи

Сегодня: 512 | За неделю: 512 | Всего: 1180

Комментарии (0)
Сайт работает на RAE Editorial System