В работе выполнено моделирование вольт-амперных характеристик солнечных преобразователей на основе гетеропереходов (ГП) n-ZnS/p-CdTe и n-CdS/p-CdTe в программной середе SCAPS-3200. Показано, что замена традиционного материала CdS оконного слоя фотоэлектрических приборов на более широкозонный материал ZnS приводит к увеличению эффективности устройства. Установлены конструктивные параметры солнечных элементов на основе многослойной n-ZnS/p-CdTe системы, обеспечивающие их максимальную эффективность. Это дает возможность оптимизировать технологию получения более дешевых и высокоэффективных тонкопленочных солнечных преобразователей.