Резюме:

Кремний с его уникальной комбинацией электрических и технологических свойств продолжает занимать в производстве ПП и ИМС доминирующее положение. Уровень обратных токов кремниевых диодов определяется многими факторами, а именно: совершенством эпитаксиальной структуры, технологическими режимами формирования р – n перехода, электрическими характеристиками защитных покрытий, материалом и режимами получения омических контактов, состоянием поверхности р – n перехода

Ключевые слова: схема., диод, кремний

Литвиненко В.Н. ¹, Быковский Н.С. ¹ ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМА ОБРАТНОГО ТОКА В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2012. – № 2;
URL: www.es.rae.ru/biofbe/183-885 (дата обращения: 23.11.2024).

Сегодня: 797 | За неделю: 797 | Всего: 2017

Комментарии (0)