Резюме:

Исследования, о которых идет речь в данной работе, относятся к области электроники, к разделу технологии полупроводниковых материалов для интегральных микросхем и солнечных элементов. Экспериментально исследованы параметры монокристаллов кремния, выращенных в промышленных условиях по методу Чохральского. Показано, что для обеспечения значений времени жизни неравновесных носителей заряда выше минимально допустимого τннз ≥ 10 мкс необходимо поддерживать соотношение концентраций примесей кислорода и углерода в монокристалле NO/NC ≥ 20. Экспериментальное показано, что увеличение диаметра кварцевого тигля при прочих равных условиях приводит к уменьшению соотношения NO/NC в монокристалле, что обусловливает уменьшение τннз. Разработана математическая модель, позволяющая оптимизировать продолжительность технологической операции гомогенизации расплава кремния перед началом роста монокристалла. Полученные результаты имеют практическое значение: они позволяют внести коррективы в программу процесса выращивания монокристаллов кремния по методу Чохральського, которые направлены на увеличение величины времени жизни неравновесных носителей заряда τннз и на обеспечение заданной концентрации кислорода в монокристаллах и таким образом - на повышение их качества и выхода годного продукта.

Ключевые слова: кремний, монокристалл, примесь, время жизни

Головко А.К. ¹, Швец Е.Я. ² ИССЛЕДОВАНИЕ СВЯЗИ МЕЖДУ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ ПРИМЕСЕЙ И ВРЕМЕНЕМ ЖИЗНИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2014. – № 1;
URL: www.es.rae.ru/biofbe/198-952 (дата обращения: 28.04.2024).

Сегодня: 514 | За неделю: 514 | Всего: 1435

Комментарии (0)