Биомедицинская инженерия и электроника
Электронный научный журнал

Технические науки
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕМНОВЫХ И СВЕТОВЫХ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЕЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ n-СdS/p-CdTe И n-ZnS/p-CdTe
Конопленко А.П. 1, Доброжан О.А. 1, Опанасюк А.С. 1

1. Сумский государственный университет

Резюме:

В работе выполнено моделирование вольт-амперных характеристик солнечных преобразователей на основе гетеропереходов (ГП) n-ZnS/p-CdTe и n-CdS/p-CdTe в программной середе SCAPS-3200. Показано, что замена традиционного материала CdS оконного слоя фотоэлектрических приборов на более широкозонный материал ZnS приводит к увеличению эффективности устройства. Установлены конструктивные параметры солнечных элементов на основе многослойной n-ZnS/p-CdTe системы, обеспечивающие их максимальную эффективность. Это дает возможность оптимизировать технологию получения более дешевых и высокоэффективных тонкопленочных солнечных преобразователей.

Ключевые слова: солнечный преобразователь, вольт-амперные характеристики, оконный слой, сульфид цинка, сульфид кадми


Библиографическая ссылка

Конопленко А.П. 1, Доброжан О.А. 1, Опанасюк А.С. 1 МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕМНОВЫХ И СВЕТОВЫХ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНЫХ ЕЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ n-СdS/p-CdTe И n-ZnS/p-CdTe // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2014. – № 1;
URL: www.es.rae.ru/biofbe/198-950 (дата обращения: 28.04.2024).


Код для вставки на сайт или в блог

Просмотры статьи

Сегодня: 486 | За неделю: 486 | Всего: 1501


Комментарии (0)


Сайт работает на RAE Editorial System