Биомедицинская инженерия и электроника
Электронный научный журнал

cc by-nc

ГРНТИ 76.13

УДК 577+615.47+616-77+006.91

LCC System: TA164, R856-857 

Хотим обратить внимание, что теперь статьи принимаются только через личный портфель в разделе Правила для авторов.

E-mail издательства:

vsevolodnovikov@live.com

novikov.oleksandr@kntu.net.ua

C 2013 журнал представлен в РИНЦ (http://elibrary.ru/)

 Google Scholar

С декабря 2013 года все статьи поступающие в журнал проверяются на плагиат: программой Плагиата.НЕТ

Attention!!! The next issue is scheduled april 2018!

Frequency Half-Yearly

Внимание!!! Следующий номер(№6(20)) журнала планируется апрель 2018! 

Периодичность: Два выпуска в год

Our page on Gaudeamus: 

Наше издательство получило Blue RoMEO Colour(условия политики издательства) согласно сервиса SHERPA/ROMEO

Мы входим в Electronic Journals Library EZB  University Library of Regensburg

Журнал индексируется в наукометрической базе CiteFactor


Мы участвуем в ежегодной статистике электронных научных изданий MIAR

MIAR 2014

Все статьи передаются на хранение в электронную научную библиотеку КиберЛенинка

С 2015 журнал включен в Ulrich’s Periodicals Direct

18 сентября на Всеукраинском рабочем совещании заведующих кафедр ВУЗов Украины по проблемам подготовки специалистов и развитии биомедицинской инженерии было принято решение считать журнал Биомедицинская инженерия и электроника официальным изданием Всеукраинской Ассоциации биомедицинских инженеров

С 2015 журнал включен в каталог World Catalogue of Scientific Journals

С 2015 мы включены в каталог AcademicKeys.com

 

С 2015 все статьи регистрируются в сервисе OAJI.net

С 2015 журнал индексируется сервисом Scientific Indexing Services

С 2016 года мы вошли в DOAJ


Технические науки
ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ ВАРИКАПІВ З ОМІЧНИМИ КОНТАКТАМИ НА ОСНОВІ NI ТА AL
Литвиненко В.М. 1, Волос О.О. 1, Шутов С.В. 2, Самойлов М.О. 2

1. Херсонський національний технічний університет
2. Інститут фізики напівпровідників ім. В. Е. Лашкарьова НАН України

Резюме:

Представлені результати дослідження причин деградації зворотних ВАХ варикапних структур при формуванні омічних контактів на основі алюмінію та нікелю. Наведені дані по оптимізації процесів формування алюмінієвого та нікелевого омічних контактів за рахунок використання операцій гетерування структурних дефектів. Приведені технологічні режими створення гетеруючих областей на варикапних структурах DOI: 10.6084/m9.figshare.5687956

Ключевые слова: варикап, гетерування, діодні структури, омічний контакт


Библиографическая ссылка

Литвиненко В.М., Волос О.О., Шутов С.В., Самойлов М.О. ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ ВАРИКАПІВ З ОМІЧНИМИ КОНТАКТАМИ НА ОСНОВІ NI ТА AL // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2017. – № 5;
URL: biofbe.esrae.ru/214-1148 (дата обращения: 18.01.2018).


Просмотры статьи

Сегодня: 3 | За неделю: 3 | Всего: 40


Сайт работает на RAE Editorial System
Каталог@Mail.ru - каталог ресурсов интернет