Биомедицинская инженерия и электроника
Электронный научный журнал

cc by-nc

ГРНТИ 76.13

УДК 577+615.47+616-77+006.91

LCC System: TA164, R856-857 

Хотим обратить внимание, что теперь статьи принимаются только через личный портфель в разделе Правила для авторов.

E-mail издательства:

vsevolodnovikov@live.com

novikov.oleksandr@kntu.net.ua

C 2013 журнал представлен в РИНЦ (http://elibrary.ru/)

 Google Scholar

С декабря 2013 года все статьи поступающие в журнал проверяются на плагиат: программой Плагиата.НЕТ

Attention!!! The next issue is scheduled april 2018!

Frequency Half-Yearly

Внимание!!! Следующий номер(№6(20)) журнала планируется апрель 2018! 

Периодичность: Два выпуска в год

Our page on Gaudeamus: 

Наше издательство получило Blue RoMEO Colour(условия политики издательства) согласно сервиса SHERPA/ROMEO

Мы входим в Electronic Journals Library EZB  University Library of Regensburg

Журнал индексируется в наукометрической базе CiteFactor


Мы участвуем в ежегодной статистике электронных научных изданий MIAR

MIAR 2014

Все статьи передаются на хранение в электронную научную библиотеку КиберЛенинка

С 2015 журнал включен в Ulrich’s Periodicals Direct

18 сентября на Всеукраинском рабочем совещании заведующих кафедр ВУЗов Украины по проблемам подготовки специалистов и развитии биомедицинской инженерии было принято решение считать журнал Биомедицинская инженерия и электроника официальным изданием Всеукраинской Ассоциации биомедицинских инженеров

С 2015 журнал включен в каталог World Catalogue of Scientific Journals

С 2015 мы включены в каталог AcademicKeys.com

 

С 2015 все статьи регистрируются в сервисе OAJI.net

С 2015 журнал индексируется сервисом Scientific Indexing Services

С 2016 года мы вошли в DOAJ


Технические науки
THE IMPACT OF THE METHOD OF UNDERLAY SURFACE PROCESSING ON THE DEVELOPMENT OF DEFECTS IN EPITAXIAL COMPOSITIONS IN THE COURSE OF SILICON PHOTO-TRANSDUCERS PRODUCTION
Zoya Nikonova 1, Oksana Nyebesnyuk 1, Alina Nikonova 1, Stanislav Ivanchikov 1, Alexander Zahoda 1

1. Zaporozhye State Engineering Academy

Резюме:

For the production of silicon photo-transducers (PhT) the acquisition of epitaxial compositions (EC) with high resistivity of working layer. One of the main parameters characterizing the quality of EC is the density of dislocation and other structural defects. Great impact on the development of defects during epitaxial growth is produced by the quality of underlay preparation before that. Multiple research of relatively thin (less than 20-30 microns) epitaxial layers demonstrated, that contamination or damages of underlay surface cause the development of defects of wrapping, counterparts, macroscopic protuberances in the growing layer. During inverted epitaxy there are no high requirements as for structural perfection of epitaxial layer as far as in PhT, produced on the basis of EC for which inverted silicon structures (ISS) serve with the working layer of mono-crystal substrate. Therefore in inverted epitaxy it is the problem of the development in the course of defects growth not in epitaxial layer, but in underlay, that becomes the major one. The processes of the development of defects in underlay in the course of growing thick (approximately 300 microns) epitaxial layer are scarcely researched by now. Scientists sustained the idea that when using dislocation-free underlays for growing in the working layer of ISS there are dislocations with the density of 103 sm-2 and more. Thus, investigation of the factors that determine the development of dislocations in underlay in the process of epitaxy, has now gained great practical value. DOI: 10.6084/m9.figshare.5117101

Ключевые слова: epitaxial compositions, inverted silicon structures, swirl-defects, defects, dislocations, silicon photo-transducers


Библиографическая ссылка

Zoya Nikonova, Oksana Nyebesnyuk, Alina Nikonova, Stanislav Ivanchikov, Alexander Zahoda THE IMPACT OF THE METHOD OF UNDERLAY SURFACE PROCESSING ON THE DEVELOPMENT OF DEFECTS IN EPITAXIAL COMPOSITIONS IN THE COURSE OF SILICON PHOTO-TRANSDUCERS PRODUCTION // Биомедицинская инженерия и электроника. – 2017. – № 3;
URL: biofbe.esrae.ru/212-1112 (дата обращения: 15.12.2017).


Просмотры статьи

Сегодня: 1 | За неделю: 1 | Всего: 106


Сайт работает на RAE Editorial System
Каталог@Mail.ru - каталог ресурсов интернет